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IRFH7923PbF
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14.0
12.0
10.0
ID= 12A
VDS= 24V
VDS= 15V
8.0
Coss
6.0
100
10
Crss
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
1000
100
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150°C
1000
100
10
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1msec
1.00
T J = 25°C
VGS = 0V
1
T A = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.10
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
10
100
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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